ОСОБЕННОСТИ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДВУХБАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР

Исследованы фотоэлектронные процессы, происходящие в селективнофоточувствительной полупроводниковой p+- n - p+ структуре. В ней n - базаявляется активной средой, занятой противоположно направленнымипотенциальными барьерами. С помощью модуляции внешнего напряженияширины барьеров один за счет другого создается возможность избирательнойспектральной чувствительности и появления в результате этой модуляции сменызнака спектрального фототока.Анализированы связи происходящих в фотодетекторе фотоэлектронныхпроцессов со структурными параметрами. Tеоретически и экспериментальнообоснована селективная спектральная фоточувствительность оптического сигнала.Рассмотрен алгоритм, учитывающий наиболее полные причинно-следственныесвязи при получении спектральной зависимости интенсивности поглощаемогоизлучения. Oсуществлено его тестирование под воздействием излучения белогосветодиода, объяснены физические процессы, обусловленные особенностьювольт-емкостных характеристик, и возможность определения разницы высотпотенциальных барьеров с помощью этих характеристик.Полученные в работе результаты открывают перспективы для созданияфотодетекторов с новыми функциональными возможностями и на их основеразнофункциональных приборов для анализа оптического излучения. В них будутустранены оптические приборы, многочисленные фотодиоды будут замененыодним фотодетектором, который отличается низким уровнем шумов и высокойпороговой чувствительностью. Это, в свою очередь, открывает перспективу дляанализа спектра слабых сигналов, необходимых при исследовании, например,слабого излучения далеких звезд, а также дает возможность решения задач,связанных со здоровьем человека, биологической и экологической безопасностью,климатическими изменениями, мониторингом воды и продовольствия и др