Оптимизация процессов газофазного получения кремниевых и кремний-германиевых пленок

Одним из важнейших технологических параметров при газофазном получении эпитаксиальных кремниевых Si/Si или гетероструктур типа Si-Ge/Si является содержание галогенидa, осаждаемого из газовой фазы полупроводника в парогазовый смеси с водородом. В работе предложена новая методика расчета концентрации тетрахлорида кремния или любого легирующего галогенида в составе парогазовoй смеси. Эта методика даёт более точное совпадение с результатами прямых измерений содержания тетрахлорида кремния, проведённых различными методами. Использование новой методики расчёта позволяет снизить уровень брака на производстве и повысить однородность параметров наращиваемых слоёв по задаваемым толщине и удельному сопротивлению как внутри, так и между партиями изготавливаемых структур.