Open AccessОсобенности технологии и некоторые свойства гетероэпитаксиальных структур Si-Ge/Si
Author(s) -
B. M. Abdurakhmanov,
Х. Б. Ашуров,
Ш.К. Кучканов,
С. Е. Максимов,
С.Ж. Ниматов
Publication year - 2020
Publication title -
uzbek journal of physics
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
ISSN - 2181-077X
DOI - 10.52304/.v22i6.208
Subject(s) - materials science , germanium , silicon , crystallography , engineering physics , chemistry , optoelectronics , physics
Экспериментально обнаружено появление термо-эдс на нагреваемых р-n гетероструктурах, содержащих на поверхности кремниевых подложек осажденные из газовой фазы плёнки твёрдого раствора Si-Ge, сильно легированные титаном. Появление термо-эдс объяснено тепловольтаическим эффектом, то есть генерацией носителей заряда за счёт поглощения субзонных фотонов с участием глубоких энергетических уровней, обусловленных как структурными дефектами Si-Ge плёнок, так и примесью титана. Показано, что при нагреве р-n структур до 800 К величина эдс составляет несколько мВ, а дополнительная локальная засветка поверхности приводит к увеличению тока в 15 раз.