Open AccessФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЫ С ПОТЕНЦИАЛЬНЫМИ БАРЬЕРАМИ
Author(s) -
А.В. Каримов,
Ф.А. Гиясова,
Д.М. Ёдгорова,
О.А. Абдулхаев
Publication year - 2019
Publication title -
uzbek journal of physics
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
ISSN - 2181-077X
DOI - 10.52304/.v22i1.176
Subject(s) - materials science
Приводятся результаты исследования фоточувствительности гетеропереходной Au-νGaAs:O[1]nCdS-nInP-Au структуры при различных режимах включения. Экспериментально показано, независимо от возбуждаемой поверхности, они отличаются фоточувствительностью в спектральном диапазоне 0.85−0.9 мкм и 1.31−1.55 мкм, что связано с фотогенерационными процессами в высокоомном арсениде галлия и фотоэмиссионными процессами из металла в полупроводник.