Open AccessИССЛЕДОВАНИЕ ПРИМЕСНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПРОФИЛЕЙ ИХ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПО ГЛУБИНЕ СИСТЕМЫ Ni-GaP-SnO2
Author(s) -
А.А. Абдувайитов,
Kh. Kh. Boltaev
Publication year - 2018
Publication title -
uzbek journal of physics
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
ISSN - 2181-077X
DOI - 10.52304/.v20i5.120
Subject(s) - materials science
Изучено влияние предварительного температурного прогрева в условиях высокого вакуума на профили распределения примесных атомов по глубине системы Ni-GaP-SnO2 (ситал). Показано, что такой прогрев резко уменьшает (до 2-3 раз) концентрацию кислорода и углерода на границе Ni-GaP, соответственно улучшается качество омического контакта.