Open AccessО ВЛИЯНИИ ДИСПРОЗИЯ НА ПРОЦЕССЫ РАДИАЦИОННОГО ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В КРЕМНИИ
Author(s) -
Х.С. Далиев,
Ш.Б. Утамурадова,
Ш.Х. Далиев,
М.Ш. Дехканов,
Ш.Б. Норкулов
Publication year - 2018
Publication title -
uzbek journal of physics
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
ISSN - 2181-077X
DOI - 10.52304/.v20i2.39
Subject(s) - materials science
В работе методом DLTS исследовано влияние атомов диспрозия на эффективность образования радиационных дефектов в n-Si, облученном γ-квантами 60Со. Показано, что в присутствии кислорода в кремнии доминирует образование А-центров, а в «бескислородном» кремнии преобладают Е-центры. Установлено, что наличие Dy в объёме кремния приводит к замедлению процесса радиационного дефектообразования: Концентрация А-центров и Е-центров в образцах n-Si в 2-4 раза меньше по сравнению с контрольными образцами.