ВЛИЯНИЕ γ-РАДИАЦИИ НА РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ

Установлено, что до дозы ∼1×108 Р рекомбинационные свойства в р-Si являются более стабильными, чем в контрольном кремнии, что возможно связано с различной степенью микронеоднородности проводимости в легированном кремнии. Показано, что с ростом концентрации атомов никеля радиационная стабильность τ кремния улучшается. Это объясняется увеличением количества примесных пар типа никель-кислород. Предложена возможная схема квазихимических реакций примесных атомов и дефектов кристаллической решетки в легированном кремнии. Показано, что на начальном этапе γ-облучения (до дозы 5×108 Р) в перекомпенсированном р-Si наблюдается увеличение, а в дальнейшем с ростом дозы снижение фоточувствительности. Увеличение удельной интегральной чувствительности связано с возрастанием, а снижение, наоборот, с уменьшением барьера между высокоомными и низкоомными областями, что приводит к увеличению роли рекомбинационных центров.