Open AccessСОСТАВ, СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА CdTe С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ФАЗАМИ, СОЗДАННЫМИ В ПРИПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ Ва+
Author(s) -
Ё.С. Эргашов,
Б. Е. Умирзаков
Publication year - 2018
Publication title -
uzbek journal of physics
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
ISSN - 2181-077X
DOI - 10.52304/.v20i1.27
Subject(s) - cadmium telluride photovoltaics , materials science , optoelectronics
С использованием метода имплантации ионов Ва+ с Е0=15 и 30 кэВ получена трехслойная система CdTe/Cd0.5Ва0.5Те/CdTe и определены оптимальные режимы ионной имплантации и отжига их формирования. Показано, что в процессе ионной бомбардировки приповерхностного слоя в зависимости от дозы ионов CdTe сильно разупорядочивается и различные слои обогащаются. Изучены состав и электронная структура ионно-легированных слоев до и после прогрева при оптимальной температуре.