Open AccessТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ОБЪЯСНЕНИЕ ЭФФЕКТА УМЕНЬШЕНИЯ ЭНЕРГИИ ПЛАЗМОНОВ В Si (111) ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ C БОЛЬШОЙ ДОЗОЙ
Author(s) -
Ж.Б. Хужаниязов,
А.С. Рысбаев,
И.Р. Бекпулатов,
Р.Ф. Файзуллаев
Publication year - 2018
Publication title -
uzbek journal of physics
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
ISSN - 2181-077X
DOI - 10.52304/.v20i1.26
Subject(s) - materials science , crystallography , chemistry
В работе дано теоретическое объяснение экспериментально обнаруженному эффекту уменьшения энергии возбуждения поверхностных и объёмных плазменных колебаний валентных электронов кремния Si (111) при имплантации ионов В, Ва и щелочных элементов с большой дозой D > 1016 см−2 . Наблюдаемый эффект уменьшения энергии плазмонов Si (111) объясняется сильным затуханием колебаний валентных электронов вследствие сильного разупорядочения кристаллической структуры Si (111) вплоть до полной аморфизации.