Open AccessФИЗИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ ДИНАМИЧЕСКОЙ ПРОВОДИМОСТИ В КОМПЕНСИРОВАННЫХ ОБРАЗЦАХ Si <Mn> И Si <Zn>
Author(s) -
С. З. Зайнабидинов,
О. Химматкулов,
I. G. Tursunov
Publication year - 2018
Publication title -
uzbek journal of physics
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
ISSN - 2181-077X
DOI - 10.52304/.v20i1.24
Subject(s) - manganese , chemistry , zinc , materials science , nuclear chemistry , metallurgy
В работе исследованы динамическая тензопроводимость и физические механизмы её проявления при импульсных воздействиях давления в образцах Si И Si в зависимости от степени их компенсации и типа проводимости в диапазоне давлений P = 0−5×108 Пa и температур Т = 273−300 К. Определена энергия ионизации уровней Мn и Zn и их барические коэффициенты, которые составили ЕMn = Ес−0.52 эВ, αMn = 1.81×10−11 эВ/Па, ЕZn = Ес−0.54 эВ, αZn = 1.4× 10−11 эВ/Па соответственно.