Open AccessТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ, ОБУСЛОВЛЕННАЯ КОЛЕБАНИЯМИ РЕШЕТКИ И ТЕПЛОВЫМ УШИРЕНИЕМ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ
Author(s) -
Г. Гулямов,
А.Г. Гулямов,
Н.Ю. Шарибаев,
У.И. Эркабоев
Publication year - 2018
Publication title -
uzbek journal of physics
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
ISSN - 2181-077X
DOI - 10.52304/.v20i1.21
Subject(s) - computer science
Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. В приближении метода эффективной массы определяется изменение ширины запрещенной зоны за счет взаимодействия электронов с колебаниями решетки и теплового уширения энергетических уровней. Результаты теории сравниваются с экспериментальными результатами. Показано, что для объяснения зависимости ширины запрещенной зоны необходимо учитывать вклад термического уширения энергетических уровней. Установлено, что полное изменение ширины запрещенной зоны определяется как взаимодействием электронов с колебаниями решетки, так и тепловым уширением уровней энергии в разрешенных зонах.