Tính toán hệ số Ettingshausen trong hố lượng tử thế parabolkhi có mặt sóng điện từ (trường hợp tán xạ điện tử-phonon âm giam cầm)

Biểu thức của hệ số Ettingshausen trong hố lượng tử với hố thế parabol khi có sóng điện từ được thu nhận trên cơ sở phương trình động lượng tử cho hàm phân bố của điện tử trong trường hợp tán xạ điện tử - phonon âm giam cầm. Các kết quả giải tích đã chỉ ra sự phụ thuộc phức tạp của hệ số Ettingshausen vào nhiệt độ, từ trường, các đại lượng đặc trưng của sóng điện từ và số lượng tử m đặc trưng cho phonon giam cầm. Những sự phụ thuộc này được hiển thị rõ nét trong kết quả tính toán số cho hố lượng tử GaAs/GaAsAl. Đặc biệt, khi cho m tiến về không, ta thu được kết quả của hiệu ứng từ-nhiệt-điện tương ứng với trường hợp phonon không giam cầm trong hố lượng tử cùng loại.