Open AccessПЭМ исследование структуры полуполярных слоёв GaN, полученных на нанопрофилированных Si(001) подложках с использованием промежуточного слоя SiC
Author(s) -
А.В. Мясоедов,
А.Н. Берт,
В. Н. Бессолов
Publication year - 2020
Publication title -
xxviii российская конференция по электронной микроскопии и vi школа молодых учёных "современные методы электронной, зондовой микроскопии и комплементарные методы в исследованиях наноструктур и наноматериалов"
Language(s) - Uncategorized
Resource type - Conference proceedings
DOI - 10.37795/rcem.2020.29.35.023
Subject(s) - materials science , optoelectronics , wide bandgap semiconductor , silicon carbide , composite material