
Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів
Author(s) -
V. K. Kyrylenko,
V. M. Marjan,
M. O. Durkot,
V. M. Rubish
Publication year - 2014
Publication title -
reêstracìâ, zberìgannâ ì obrobka danih
Language(s) - Ukrainian
Resource type - Journals
eISSN - 2522-4689
pISSN - 1560-9189
DOI - 10.35681/1560-9189.2014.16.2.100252
Subject(s) - computer science
Розроблено стенд, який дозволяє одночасно вимірювати температурні залежності електричного опору (R) та оптичного пропускання (в) плівок у ділянці температур 300-560 К. Досліджено температурні залежності R та в аморфних плівок системи сурма-селен. Показано, що їхня кристалізація супроводжується різким зменшенням цих параметрів. Температурний інтервал переходу плівок з аморфного стану в кристалічний залежить від складу плівок, матеріалу контактів та умов термообробки.