Open AccessINFLUENCE OF THE SEMICONDUCTOR CONDUCTIVITY ON THE VALUE OF THE SCHOTTKY BARRIER
Author(s) -
Р. М. Магомадов,
Р.Р. Юшаев
Publication year - 2021
Language(s) - English
Resource type - Conference proceedings
DOI - 10.34708/gstou.conf..2021.20.82.001
Subject(s) - gallium arsenide , schottky barrier , semiconductor , indium arsenide , arsenide , materials science , indium , schottky diode , optoelectronics , indium antimonide , metal–semiconductor junction , conductivity , band gap , cadmium sulfide , wide bandgap semiconductor , diode , chemistry , metallurgy
В данной работе исследовано влияние проводимости полупроводника на Барьер Шотки в контакте металл полупроводник. В качестве объектов исследования выбраны контакты с алюминием следующих полупроводников: арсенида индия(InAs), арсенида галлия (GaAs)антимонида индия(InSb) и сульфида кадмия(CdS). Выбор этих кристаллов связан с тем, что ширина запрещенной зоны этих полупроводников возрастает от Еg = 0,18 эВ у арсенида индия до Еg = 2,53 эВ у сульфида кадмия, что соответствует поставленной задаче в данной работе. In this paper, the influence of the conductivity of a semiconductor on the Schottky Barrier in the metal-semiconductor contact is investigated. Contacts with aluminum of the following semiconductors were selected as objects of research: indium arsenide(InAs), gallium arsenide (GaAs), indium antimonide(InSb), and cadmium sulfide(CDs). The choice of these crystals is due to the fact that the band gap of these semiconductors increases from U = 0.18 eV for indium arsenide to U =eV for cadmium sulfide, which corresponds to the task in this paper.