Моделирование s-образного процесса накопления А- и Е-центров в изовалентно легированном германием кремнии в среде Statistica И Mathcad

Кремний, легированный изовалентной примесью германия (Si или SiGe в англоязычной научно-технической литературе), обладает рядом физико-технологических преимуществ с точки зрения обеспечения радиационной стойкости npn- и npnp-структур. Применение именно такого кремния весьма перспективно для силовой электроники, поскольку он способен вытеснить используемый в настоящее время кремний традиционного качества, легированный фосфоом (Si ) за счёт своей большей термостабильности и радиационной стойкости, что положительно влияет на качество изготавливаемых на его основе приборов. Целью работы является моделирование в среде STATISTICA и MathCAD нелинейного накопления основных радиационных дефектов в кремнии и оценка возможности использования Gе как примеси, существенно замедляющей радиационную деградацию Si. Установлен процесс нелинейного накопления основных радиационных дефектов (А- и Е- центров) в кремнии, подвергаемом облучению α-частицами. Проведено моделирование этого процесса в среде STATISTICA и MathCAD. Показано, что легирование кремния германием до определённых концентраций позволяет существенно замедлить радиационную деградацию кремния и использовать такой материал для изготовления радиационностойких полупроводниковых приборов, в частности, многослойных структур высоковольтных силовых приборов общепромышленного и транспортного электропривода.