Open AccessКинетика двумерно-островкового зарождения при субмонослойном осаждении Si и Ge на атомно-чистую поверхность Si(111) и с поверхностными фазами, индуцированными оловом / Петров А.С., Рогило Д.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В.
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Uncategorized
DOI - 10.34077/semicond2019-79
Subject(s) - germanium , silicon , materials science , crystallography , in situ , chemistry , optoelectronics , organic chemistry