Поверхностные состояния в PbSnTe:In МДП-транзисторе с индуцированным каналом / Климов А.Э., Акимов А.Н., Ахундов И.О., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Эпов В.С., Терещенко О.Е.

В области x~(0,22-0,28) проводимость узкозонного (Eg<0,07 эВ) Pb1-xSnxTe:In может бытьблизка к собственной с удельным сопротивлением при гелиевых температурах >108 Омсм [1]. Наповерхности таких изолирующих пленок, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии,возможно формирование тонких слоев PbSnTe с составами, соответствующими кристаллическомутопологическому изолятору (КТИ) [2]. Особый интерес представляют исследования транспортныхсвойств КТИ, обусловленных дираковскими поверхностными состояниями, которые в PbSnTe:Inмогут присутствовать на фоне обычных поверхностных локализованных состояний.Нами впервые исследован PbSnTe:InМДП-транзистор (МДПТ). Применение пленкилавсана в качестве диэлектрика позволилосравнивать свойства одного и того же МДПТпри разных состояниях поверхности. Намив качестве примера приведены затворныехарактеристики до и после обработкиповерхности PbSnTe:In с удалением окислов[3] и осаждением пассивирующего слоя Al2O3.Сплошные и пунктирные кривыесоответствуют двум последовательнымизмерениям. Видно, что обработкаповерхности привела к радикальномуизменению характеристик.Рассмотрены квазистационарные ВАХМДПТ в режиме токов, ограниченныхпространственным зарядом. Исследованыособенности протекания тока в n+-i-n+ каналеМДПТ при скоростях изменения затворногонапряженияU’gate= 2,5 - 250 В/с и различныхзависимостях Ugate(t), включая резкую сменуего полярности, в условиях освещения МДПТ ипри его отсутствии, в температурномдиапазоне Т = 4,2 – 25 К. На качественном уровне полученные результаты объясняютсяэкранированием электрического поля затвора как свободными электронами, так и электронами,захватываемыми на ловушки на поверхности, свойства которых зависят от ее обработки. Этонеобходимо учитывать в дальнейшем при анализе транспорта в КТИ структурах на основе PbSnTe:In.