z-logo
open-access-imgOpen Access
Механизмы проводимости в твердых растворах YbxMn1-xS / Харьков А.М., Ситников М.Н., Филлипсон Г.Ю.
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/semicond2019-65
Subject(s) - political science
Соединения, содержащие элементы с переменной валентностью, обнаруживают электронныефазовые переходы. В окрестности электронного фазового перехода меняется механизм, которыйможно установить из ВАХ. В твердом растворе YbxMn1-xS с x=0.15 в интервале температур 80 – 400 Кпроведены измерения ВАХ с целью установить смену механизма проводимости Мотта на механизмпроводимости Пула-Френкеля. В области температур, где наблюдается зарядовое упорядочение,проводимость описывается в модели токов, ограниченных пространственным зарядом и описываетсяквадратичным законом Мотта [1]:где, j – плотность тока, τμ– максвелловское время релаксации, σ0 – электропроводность в объемематериала, μ – подвижность носителей заряда, L – толщина образца. Представлены экспериментальные данные ВАХ в логарифмических координатах хорошоописываются законом Мотта (1) при T=160K, 200K, а на Рис.1b при T=280K, 320K, 360K преобладаетмеханизм проводимости Пула-Френкеля (2), согласно которому сильное электрическое поле,приложенное к образцу, меняет вид потенциальных барьеров для носителей заряда между атомамикристаллической решетки. Это приводит к увеличению количества электронов в образце за счетпреодоления потенциального барьера. Ток в этом случае экспоненциально зависит от напряжения:где, e – заряд электрона, n0 – концентрация электронов в зоне проводимости в отсутствии поля, k –постоянная Больцмана, β – постоянная Пула-Френкеля зависящая от ε – диэлектрическойпроницаемости полупроводника. Линейность участков на логарифмической зависимости I/U от U1/2 вкоординатах Пула-Френкеля свидетельствует о том, что преобладающий транспорт носителей зарядаосуществляется за счет, как прыжкового механизма проводимости, так и за счет туннельной эмиссииэлектронов [2].

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here
Accelerating Research

Address

John Eccles House
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom