Антистоксова люминесценция InSe вблизи перехода E1 / Николаев С. Н., Чернопицский М. А., Савин К. А., Кривобок В. С., Багаев В. С.

В настоящее время наблюдается резкий ростинтереса к исследованию слоистых полупроводников. Впервую очередь это связано с драматическимизменением их свойств при переходе к атомарно тонкимпленкам. Уже продемонстрирована как высокаяэффективность фотолюминесценции (ФЛ), так ивозможность создания различных электронныхустройств (полевые транзисторы, фотодетекторы) наоснове монослоев дихалькогенидов переходных металл(ДХПМ).Класс слоистых полупроводников неограничивается ДХПМ, а также включает соединенияA3B6 (GaSe, InSe, GaS) и A4B6 (GeSe, SnSe…). В даннойработе исследовалась низкотемпературная (5 К) ФЛ InSe.Рассмотрены спектры ФЛ образца привозбуждении люминесценции лазером с длиной волны405 нм и лазером с длиной волны 790 нм.При возбуждении люминесценции лазером сдлиной волны 790 нм (~1.57 эВ), в видимой областиширокая линия пропадает, но остается пик вблизиэнергии 2.54 эВ. Это значение достаточно сильноотличается от удвоенной энергии ИКлюминесценции InSe, что было характерно для 2Egлюминесценции многочастичных состояний в SiGeгетероструктурах (см., например [1, 2]). В то жевремя, в этой области расположен экситонный пикпоглощения InSe, связанный с межзонным переходомE1 с участием дырок наSe-pxy-орбиталях [3]. Интенсивность видимойлюминесценции InSe растет сверхлинейно и близка кстепенной зависимости с показателем степени 1.5. Отметим, что полоса ФЛ InSe вблизи1.32 эВ претерпевает изменения с ростомтемпературы. Это является признаком появлениямногочастичных состояний.Таким образом, исследована низкотемпературная фото люминесценция объемного InSe в ИК и видимойобласти света. При фотовозбуждении образца лазерным излучением с длиной волны 790 нм обнаруженоантистоксово излучение InSe в области 2,54 эВ, которое близко по энергии к экситонной особенности вблизимежзонного перехода E1. Показана сверхлинейная зависимость интенсивности линии E'1 от плотностимощности лазерного возбуждения.