
Наблюдение сверхпроводимости в дираковском полуметалле Cd3As2 / Аронзон Б.А., Давыдов А.Б., Овешников Л.Н., Моргун Л.А., Кугель К.И.,Захвалинский В.С., Пилюк E.A., Кочура А.В., Пудалов В.M
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/semicond2019-483
Subject(s) - materials science
Наше сообщение посвящено первому экспериментальному наблюдению сверхпроводимости вдираковском полуметалле Cd3As2 в тонких пленках без приложения внешнего давления [1], ранеенаблюдалась сверхпроводимость в условиях приложения 13 GPa. Пленки были выращены методоммагнетронного распыления и отвечают поликристаллическому однородному распределениюэлементов Cd и As, чье соотношение согласуется с стеохиметрическим соотношением Cd3As2,отличие составляет не более 2%. Последнее подтверждается исследованиями рентговскойдифракции, который показали полное соответствие Cd3As2, и рамановскими спектрами, в которыхнаблюдаются два ярких пика полностьюсоответствующих положению пиковCd3As2. Специальные исследованияпоказали отсутствие Cd в элементарномвиде в веществе пленки. Формированиесверхпроводящей фазы висследованных пленках подтверждаетсяхарактерным поведениемтемпературной и магнитополевойзависимости сопротивления, а такжезависимостью dV - dI характеристик,которые демонстрируют плато в районенулевого сопротивления. Графики Hc -Tc отвечают линейному поведению впромежуточном интервале температур,подобно объемным кристаллам Cd3As2и Bi2Se3 при приложении давления (13GPa), что указывает на нетривиальноеспаривание в исследованных пленках.Таким образом, можно утверждать, что в тонких пленках дираковского полуметалла Cd3As2 вотсутствии внешнего избыточного давления доказано наличие сверхпроводимости.