Линейное поперечное магнитосопротивление в монокристаллах селенида ртути, легированных примесью кобальта / Бобин С.Б., Лончаков А.Т., Дерюшкин В.В., Паранчич Л.Д.

После открытия в 1928г. П.Л.Капицей линейного магнитосопротивления (МС) на монокристаллевисмута его наблюдали в разнообразных материалах. Однако, несмотря на существование рядатеоретических моделей, предсказывающих линейное МС, природа этого явления до сих пор остаетсянеясной. В настоящем докладе мы сообщаем обобнаружении линейного поперечного МС в бесщелевомполупроводнике HgSe при его легировании примесью Со.Исследовано четыре образца HgSe:Co с концентрациейкобальта 1.5, 2, 4 и 7·1018 см-3, а также специальнонелегированный образец HgSe, имевший концентрациюэлектронов и подвижность близкими к этим параметрам вобразцах HgSe:Co. Установлено, что в HgSe:Co при T 80К в магнитном поле выше порогового Bc ~ (2 – 6) T (дляразных образцов), степенное МС переходит в линейное. При этом оказалось, что поле Bc не связано сподвижностью электронов в образцах обратнопропорциональной зависимостью, которую предсказываетклассическая теория линейного МС [1]. В нелегированномобразце HgSe линейного МС обнаружено не было. Приэтом тенденции к насыщению МС также не выявлено, авеличина эффекта оказалась меньше в (1.5 – 2) раза, чем вHgSe:Co.Положительное линейное МС в HgSe:Co можнорассмотреть, исходя из концепции существования вселениде ртути фазы полуметалла Вейля [2,3]. В этихматериалах приложение магнитного поля приводит кснятию запрета от рассеяния на большие углы(backscattering) [4] или междолинного рассеяния, и МСсильно возрастет. Тогда при наличии в селениде ртутиузлов Вейля с противоположной киральностьюлегирование примесью Co должно усилить процессыbackscattering за счет увеличения вероятности рассеяния спереворотом спина на магнитной примеси. Такимобразом, заметое увеличение магниторезистивного эффекта в кристаллах HgSe:Co по сравнению с HgSe илинейный вид МС могут быть связаны с ростом вероятности рассеяния на большие углы