Исследование фотоэмиссионных свойств мультищелочных фотокатодов / Русецкий В.С., Голяшов В.А., Миронов А.В., Аксенов В.В., Терещенко О.Е.

В настоящее время большое внимание уделяется фотоэмиссионным свойствам материалов наоснове A3B5. Одним из наиболее распространённых и хорошо изученных материалов данной группыявляется GaAs. Т.к. данный материал достаточно хорошо изучен, ему найдено большое количествоприменений, в том числе, в качестве активного слоя в фотокатодах электронно–оптическихпреобразователей (ЭОП) 3–го поколения. Помимо GaAs, мультищелочные фотокатоды на основе K,Na, Sb, Cs всё ещё остаются крайне востребованными(в том числе, и из–за более низкой цены посравнению с GaAs) и используются при изготовленииЭОП 2+ поколения, а также фотоэлектронныхумножителей (ФЭУ). Тем не менее, далеко не всесвойства фотокатода такого типа изучены хорошо.Поэтому исследование эмиссионных иинжекционных свойств мультищелочного фотокатодаявляется важной задачей, т.к., возможно, позволитулучшить его характеристики и открыть новыеприменения.Для экспериментов был изготовлен вакуумныйфотодиод, состоящий из двух мультищелочныхфотокатодов, выращенных на стекле и закрепленныхплоскопараллельно на торцах корпуса, выполненного из алюмооксидной керамики. Диаметрыфотокатодов равны 18 мм с межэлектроднымрасстоянием около 1 мм. Спектр квантового выходаисследуемых фотокатодов приведён , также приведены фотоэмиссионные спектрыэнергетического распределения эмитированныхэлектронов при освещении одного из электродов сдлинами волн 550 и 850 нм. На приведенныхэнергетических распределениях хорошо виден вклади от первого, и от второго электрода. Разница пиковпо высоте обусловлена освещением со сторонытолько одного из электродов. Также стоит отметить,что ширина энергетического распределениязначительно зависит длины волны падающегоизлучения. Это можно объяснить тем, что вследствиемалой толщины мультищелочных фотокатодов (порядка 100–120 нм) в вакуум эмитируется большоеколичество горячих электронов. В работе сравниваются фотоэмиссионные свойствамультищелочного и GaAs фотокатодов.