z-logo
open-access-imgOpen Access
Особенности влияния ΔN и Δμ моделей 1/f-шумов на эквивалентную шуму разность температур инфракрасных фотоприемников / Козлов А.И.
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/semicond2019-446
Subject(s) - environmental science
При создании инфракрасных фотоприемников (ИК ФП) обычно требуется обеспечить режимограничения фоном (ОФ), при котором параметры определяются шумом фонового излучения [1-3]. Вэтом случае несложно получить следующее выражение (1), описывающее зависимость эквивалентнойшуму разности температур (NETD) ИК ФП от параметров технологии мультиплексоров.В определенных случаях, обеспечение режима "ОФ" затруднительно, например, ИК ФП неохлаждают до требуемой рабочей температуры. В таких случаях, хотя коэффициент вводасигнального фототока остается достаточно высоким, дифференциальное сопротивлениефоточувствительных элементов уменьшается и температурное разрешение определяется 1/f-шумамивходных транзисторов в ячейках мультиплексоров.В режиме ОФ эквивалентная шуму разность температур ИК ФП обратно пропорциональнаквадратному корню из времени накопления: NETD~1/(tint)1/2, поэтому, в случаях, когда температурноеразрешение определяется 1/f-шумами входных транзисторов мультиплексоров, соотношение вкладовшумов в NETD должно быть проверено особенно тщательно потому, что прямая пропорциональностьNETD~(tint)1/2 следует из выражения (2) для Δμ зависимой модели 1/f-шумов.В докладе исследованы научные основы создания мультиплексоров и ИК ФП, обеспечивающихвысокие предельные характеристики и работающих, в т.ч., при значительных входных токах

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here