Open AccessТемновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярнолучевой эпитаксии на альтернативных подложках / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю.
Author(s) -
黄建新,
方家熊
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Uncategorized
DOI - 10.34077/semicond2019-439
Subject(s) - optoelectronics , materials science , mercury cadmium telluride , infrared , optics , physics