Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярнолучевой эпитаксии на альтернативных подложках / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. | Zendy

黄建新 | Zendy; 方家熊 | Zendy

Open Access

Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярнолучевой эпитаксии на альтернативных подложках / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю.

Author(s) -

黄建新,

方家熊

Publication year - 2019

Publication title -

тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»

Language(s) - Uncategorized

DOI - 10.34077/semicond2019-439

Subject(s) - optoelectronics , materials science , mercury cadmium telluride , infrared , optics , physics

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here