Рост и характеризация структур с множественными квантовыми ямами HgTe/CdHgTe для ИК фотоприемников / Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Икусов Д.Г., Карпов В.В., Ремесник В.Г., Швец В.А., Сусов Е.В., Ужаков И.Н., Филатов А.В.

Проведено выращивание структур с множественными квантовыми ям (КЯ) HgTe методоммолекулярно-лучевой эпитаксии с in situ эллипсометрическим контролем. Представлены спектрыпоглощения и фотопроводимости, характеристики структур с множественными HgTe КЯ. Измереныспектры поглощения и фотопроводимости. Произведена характеризация распределения состававыращенных КЯ из in situ эллипсометрических измерений и из спектров поглощения ифотопроводимости определено положение уровней размерного квантования и длинноволновый крайфотопроводимости.Рост структур производился на модернизированной установке МЛЭ “Обь-М”. КоличествоHgTe КЯ изменялось от 5 до 200, толщина слоев HgTe варьировалась от 3 до 18 нм. Состав барьеровXCdTe≥0,60,75, толщина барьеров HgCdTe составляла 30 нм. Разработан эллипсометрический методпрецизионного восстановления состава в множественных HgTe КЯ, основанный на замене слояпеременного состава на подложку постоянного состава с “эффективными” оптическимипостоянными. Данный метод позволяет с высокой точностью восстановить распределение состава потолщине в последовательно выращенных HgTe КЯ.Представлены типичные профилираспределения состава в структуре с 50 HgTe КЯ.Видно, что в выращенных КЯ наблюдаетсявоспроизводимое изменение распределение состава.Средний статистический разброс для фиксированнойкоординаты составил XCdTe 0,02 молярных долей.По заводской технологии АО “МЗ “Сапфир”методом струйного аэрозольного травления на основемножественных HgTe КЯ были изготовлены ИКфоторезисторы, размером 50×50 мкм безпросветляющего покрытия. Показаназависимость вольтовой чувствительность (Su) иобнаружительной способности (D*) от напряжениясмещения. Наблюдается увеличение Su с выходом наполку при напряжении смещения ≥0,25В, а D*проходит через максимум при 0,150,2В. Проведеноисследование параметров фоторезисторов приразличных фоновых потоках. Значение вольт-ваттнойчувствительности составило 5,8×105 В/Вт для ИКфоторезисторов с длинноволновой границей max=11,6 мкм, изготовленных на основе структур смножественными HgTe КЯ (50 слоев HgTe толщиной 8,6 нм,).