Формирование упорядоченных дисков Ge на поверхности SiO2 / Уткин Д.Е., Шкляев А.А.

Массивы упорядоченных дисков из материалов с высоким показателем преломления n,синтезированные, например, на поверхности плёнки SiO2, позволяют управлять рассеяниемэлектромагнитного излучения за счёт возбуждения в них электрических и магнитных резонансовсогласно теории Ми в условиях, когда выполняется соотношение =nd, где - длина волныизлучения и d – размер частицы. Материалом для таких частиц принято использовать Si. В то жевремя, Ge характеризуется большим значением n и может оказаться более эффективным материалом,чем Si в видимой и ближней ИК-области спектра. Нами разрабатывается технология изготовлениямассивов упорядоченных дисков Ge на поверхности плёнки SiO2.С помощью литографии остросфокусированным пучком электронов (RAITH Pioneer) намисоздавалась маска из PMMA резиста, которая задавала латеральные размеры, форму и периодичностьрасположения дисков Ge. Затем на образец с маской осаждался слой Ge заданной толщины прикомнатной температуре в сверхвысоковакуумной камере установки фирмы Omicron. Далеепроводился процесс взрывной литографии в диметилформамиде в ультразвуковой ванне, то есть, проводился так называемый процесс lift-off. В результате на поверхности плёнки SiO2 получалисьмассивы упорядоченных дисков Ge с заданными геометрическим параметрами (Рис. 1).Наблюдаемый в микроскоп цветовой эффект (голубой, жёлтый и сине-зеленый окрас) при рассеяниибелого света (светодиодной лампы осветителя микроскопа) на дисках Ge связан c возбуждением вних электрических и магнитных резонансов, а также эффектов интерференции, и зависит, вчастности, от их диаметра и расстояния между ними.Важно отметить, что разрабатываемый нами метод позволит получать плотно упакованныедиски Ge заданного размера от 100 нм с расстоянием между ними менее 100 нм. Получение близкорасположенных массивов обеспечит возможность изучения коллективных эффектов взаимодействиямод рассеянного резонансного излучения и его воздействия на оптоэлектронные свойства подложки.