Селективно излучающие киральные мета-мембраны / Тиходеев С.Г., Лобанов С.В., Дьяков С.А., Гиппиус Н.А.

Возможность управления направлением оптического излучения из различных фотонныхструктур с помощью киральных локальных распределений электромагнитного поля в них привлекаетв последнее время большой интерес исследователей [1,2], в связи с потенциальной важностью дляоптоэлектроники и спинтроники. В докладепродемонстрирована возможностьуправления направлением излучения изкирально-модулированной метамембраныпри спин-поляризованном возбужденииспециальным образом расположенногоизлучателя - квантовой точки – внутри метамембраны.Метамембрана ввиде свободно-подвешенного планарногоGaAs волновода имеет на верхнейповерхности киральный фотоннокристаллический слой нанопилларов.Структуры такого типа на буфернойподложке AlGaAs позволили получить[3] циркулярно-поляризованнуюфотолюминесценцию квантовых точекбез применения постоянного магнитного поля.Расчеты методом оптическойматрицы рассеяния показывают, что свободно-подвешеннаямембрана может быть селективной понаправлению спина излучателя: светнаправляется вверх или вниз отструктуры, в зависимости от направленияспиновой поляризации оптическивозбужденной квантовой точки, если онарасположена, например, в центреэлементарной ячейки структуры.