Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы / Белоновский А.В., Позина Г., Левитский Я.В., Морозов К.М., Митрофанов М.И., Гиршова Е.И., Иванов К.А., Родин С.Н., Евтихиев В.Р., Калитеевский М.А.

Методом селективной газофазной эпитаксии были выращены плоские гексагональныемикрорезонаторы одиночные и двойные. Проводилось измерение спектров методомнизкотемпературной катодолюминесценции на сканирующем электронном микроскопе. Наполученных спектрах видно огромное расщепление Раби (порядка 100 мэВ). При высокой температуре два пика сливаются в один пик. Показано численноемоделирование распределения интенсивности мод резонатора гексагональной формы. Некоторыемоды могут иметь сильную пространственную локализацию, приводящую к сильномувзаимодействию с экситоном и огромному расщеплению Раби. Теоретически мы рассчитали долюэкситонов в поляритонных модах, которая коррелирует с интенсивностью экситонного излучения,связанного с этими модами, для нескольких микрорезонаторов гексагональной формы. Такимобразом, мы получили вид зависимости вероятности излучения от собственных частот структуры.