z-logo
open-access-imgOpen Access
Формирование нанокомпозитов полианилин/многостенные углеродные нанотрубки с варьируемой проводимостью для сенсорных и электрохимических приложений / Лобов И.А., Давлеткильдеев Н.А., Соколов Д.В.
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/semicond2019-380
Subject(s) - chemistry
Полианилин (ПАНИ) относится к классу органических полупроводников. Область примененияполимера широкая: газовые сенсоры, суперконденсаторы, топливные элементные и др. Для разныхприложений ключевыми параметрами ПАНИ управляют посредством создания композитов полимерас наноразмерными объектами (оксиды металлов, углеродные наноматериалы и пр.). В данной работедля создания композитов с ПАНИ использовались многостенные углеродные нанотрубки,легированные азотом (N-МУНТ) до и после облучения ионами Ar+ (5 кэВ, 1016 см-2).Для синтеза композитов ПАНИ/N-МУНТ и ПАНИ/Ar+_N-МУНТ применялась in-situхимическая окислительная полимеризация анилина в присутствии нанотрубок. Композитыосаждались в виде плёнок на подложки SiO2/Si. Измерение удельной проводимости индивидуальныхМУНТ выполнялось по методике, описанной в [1], а композитов - четырёхзондовым методом. Удельная проводимость индивидуальныхN-МУНТ уменьшается после облучения.Проводимость ПАНИ/Ar+_N-МУНТ более чемна порядок превышает проводимость слоевПАНИ/N-МУНТ. ПАНИ и МУНТявляются проводящими материалами, и обаобеспечивают проводимость композита. Ростпроводимости композита ПАНИ/Ar+_N-МУНТпротиворечит снижению проводимости Ar+_NМУНТ. Такое поведение может быть связано сизменением вклада нанотрубок в суммарнуюпроводимость композита. Действительно, при облучении N-МУНТ ионами Ar+ их работа выхода,измеренная по методике [2], возрастает с 4,5 до 5,1 эВ. Это приводит к формированию омическогоперехода на межфазной границе ПАНИ/Ar+_N-МУНТ, который обеспечивает протекание тока междукомпонентами. В случае композита ПАНИ/N-МУНТ на межфазной границе возникает барьердля носителей заряда и протекание тока между ПАНИ и N-МУНТ затруднено.Применение ПАНИ/Ar+_N-МУНТ в качестве чувствительного слоя газового сенсора нежелательно, так как резистивный отклик слоя ПАНИ будет шунтироваться МУНТ. Однакоиспользование его в качестве электрода суперконденсатора является выгодным, так как этообеспечивает не только высокие удельную площадь поверхности и емкость, но и существеннуюпроводимость электродов.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here
Accelerating Research

Address

John Eccles House
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom