Диагностика многослойных структур на основе органических полупроводников при помощи методов спектроскопии адмиттанса и переходной электролюминесценции / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М.

Исследования электрофизических свойств многослойных органических и органонеорганических систем актуальны из-за возможностей разработки новых приборов (например,органических светодиодов (ОСИД), солнечных элементов, тонкопленочных транзисторов) срасширенными функциональными возможностями и относительно недорогой технологией [1].Важным методом получения информации о процессах в органических и органо-неорганическихструктурах является измерение адмиттанса (илиимпеданса) при различных условиях [2–4]. В работеобобщаются результаты экспериментальныхисследований частотных, температурных и полевыхзависимостей адмиттанса органо-неорганическихструктур на основе пентацена с диэлектриками SiO2 иSiO2/Ga2O3 (в конфигурации МДП), а также ОСИДструктур с эмиссионным слоем из вещества ЯК-203 –(2-N,2-N,8-N-тетракис(4-метоксифенил)-(дибензотиофен-5,5-диоксид)-2,8-диамин).При изучении МДП-структур на основепентацена показано, что при температурах, близких ккомнатной, минимальные значения емкости на вольтфарадных характеристиках (ВФХ) структуропределяются образованием инверсионного слоя.Кинетика образования инверсионного слояопределяется температурой и типом подложки(SiO2/Ga2O3 или SiO2). Концентрация дырок в пентацене определена по формуле Мотта-Шоттки приразных частотах и температурах. На температурной зависимости приведенной проводимостинаблюдаются максимумы (Рис.1), которые вызваны перезарядкой ловушек в объеме пентацена.Свойства ОСИД-структур изучались при помощи методов вольтамперных характеристик, адмиттансаи переходной электролюминесценции. Обсуждаются частотные и температурные зависимостиадмиттанса при различных напряжениях смещения. Подвижность носителей заряда определялась изрезультатов измерения частотных зависимостей мнимой части импеданса структур [4]. Подвижностьносителей заряда возрастает при увеличении напряженности электрического поля в образце, ноуменьшается при охлаждении структуры. Значения подвижности, найденные из измеренийимпеданса, почти на порядок меньше значений, определенных методом переходнойэлектролюминесценции.