Рассеяние электронов на коллективных возбуждениях конденсата в Бозе-Ферми системах / Villegas K.H.A., Sun M., Ковалёв В.М., Савенко И.Г.

Изучается новый механизм рассеяния электронов в гибридных Бозе-Ферми системах,состоящих из двумерного электронного газа иБозе-конденсата непрямых (дипольных)экситонов. Мы показываем, чторассеяние электронов с участием парыбоголонов (возбуждений конденсата) является внекотором диапазоне температуропределяющим механизмом, поскольку оновносит преобладающий вклад в проводимостьэлектронов, по сравнению с одно-боголонными,фононными процессами и процессамирассеяния на примесях, даже при учётеэффектов экранировки [1].Основываясь на теоретической модели Блоха-Грюнайзена, мы разработали микроскопическуютеорию эффекта двухбоголонного рассеяния электронов, рассматривая графен [2], GaAs и MoS2материалы, и определили температурную зависимость сопротивления, которая отличается оттрадиционной, обусловленной рассеяниемэлектронов на колебаниях решётки.Отличия особенно явно просматриваются впределе низких и высоких температур.Исследовано влияние различныхпараметров, таких как плотность конденсатныхчастиц, концентрация электронов и расстояниемежду слоями, на температурное поведениесопротивления электронной подсистемы.Показано, что при увеличении плотностиконденсата сопротивление, обусловленноевзаимодействием электронов с боголонами,уменьшается. При определенных значенияхпараметров системы, в частности, концентрацииэлектронов, сопротивление электронного газаопределяется, в основном, лишь процессамиэлектрон-2-х-боголонного рассеяния.В работе [1] также обсуждаетсявозможность куперовского спаривания электронов за счет процессов обмена боголюбовскимивозбуждениями между ними.