Влияние СВЧ поля на туннельный точечный контакт в двумерном электронном газе / Ярошевич А.С., Квон З.Д., Ткаченко О.A., Ткаченко В.А., Родякина E.E., Латышев А.В.

Вслед за работами [1,2], в которых была обнаружена гигантская микроволновая и терагерцоваяфотопроводимость туннельного точечного контакта (ТТК) в двумерном электронном газе (ДЭГ), мына тех же образцах при 4.2 K нашли гигантскую фотопроводимость для гораздо меньших частот f~1ГГц. СВЧ поле подводилось к образцу по центральной жиле коаксиального кабеля, экран которогобыл заземлен вместе с одним из токовых контактов к ДЭГ. Измеренные затворные характеристикиТТК показали сильный рост его кондактанса G по мере уменьшения коэффициента ослабленияподаваемой СВЧ мощности P в децибелах.Отчасти рост G вызван сдвигом кривых G(Vg) сувеличением P, что наблюдалось и при f≈150 ГГц[1]. Возможной причиной сдвига являетсявыпрямление СВЧ напряжения, которое понижаетвысоту барьера в ТТК, но обнаруженноеповедение сложнее, чем для статического барьераV(P)/ch2(x/W) [3]. Так, на зависимостях G(Vg)обнаружен необычный излом при G≈0.03·2e2/h,который размывается с ростом P. Вероятно,реальный барьер имеет широкое основание иузкую макушку. При высоких P видны частыеступеньки выше и ниже G=e2/h. Заметим, чтотеория фотон-ассистированного прохождения электрона через барьер [V+A·cos(ωt)]/ch2(x/W) иформула Ландауэра G=D·2e2/h, где D –коэффициент прохождения, были использованы длямоделирования микроволновой и терагерцовой фотопроводимости таких ТТК в ДЭГ c энергиейФерми EF≈27 мэВ [2,3]. При этом найдены параметрыбарьера V≈30 мэВ, W ≈100 нм, A<6 мэВ. Если f < 24ГГц, то такой барьер не успевает измениться за времятуннелирования электрона τ = πW(m*/2V)1/2, нозависимость коэффициента прохождения D от энергиинеобходимо усреднить по периоду колебаний. Этодает гигантское увеличение D с ростом A ипоявляются ступени на зависимости D(E), отвечающиеусловию V-E ≈A [4]. В контрасте всерасчетные кривые D(E) проходят через общую точкуD=0.5, поскольку в модели фиксирована средняявысота барьера V=30 мэВ, по аналогии с [2].