Индуцированные микроволновым излучением осцилляции сопротивления в двумерном электронном газе с одномерной периодической модуляцией / Быков А.А., Стрыгин И.С., Горан А.В., Калагин А.К., Родякина Е.Е., Латышев А.В.

Изучено влияние микроволнового излучения на низкотемпературный магнетотранспортдвумерных электронов в одномерных латеральных сверхрешетках, изготовленных на основеселективно-легированных гетероструктур GaAs/AlAs [1-3]. Одномерная потенциальная модуляциядвумерного электронного газа осуществлялась при помощи серии металлических полосок,сформированных на поверхности мостиков Холла и проявлялась в магнитном поле в видесоизмеримых осцилляций сопротивления [4-7]. Обнаружено, что под действием микроволновогоизлучения сопротивление двумерного электронного газа в исследуемых сверхрешетках изменяется вминимумах соизмеримых осцилляций более существенно, чем в максимумах. Полученныеэкспериментальные данные демонстрируют «интерференцию» соизмеримых осцилляциймагнетосопротивления и осцилляций, индуцированных микроволновым излучением [8, 9]. Показано,что состояния с нулевым сопротивлением возникают в двумерном электронном газе с одномернойпериодической модуляцией в минимумах соизмеримых осцилляций сопротивления [10]. Полученныеэкспериментальные результаты качественно объясняются ролью зон Ландау в микроволновойфотопроводимости двумерного электронного газа с одномерной периодической модуляцией прибольших факторах заполнения.