Микрофотолюминесценция структурных дефектов в плёнках CdTe/GaAs и CdTe/Si для КРТ подложек / Николаев С.Н., Кривобок В.С., Онищенко Е.Е., Пручкина А.А., Ченцов С.И.

В работе исследовананизкотемпературная микрофотолюминесценция (МФЛ) пленокCdTe/(103)Si и CdTe/(103)GaAsтолщиной 5.5 мкм, используемых вкачестве виртуальных подложек дляКРТ. В спектрах излучения пленокдоминировало излучение протяженных дефектов, см. рис. 1A. Суменьшением плотностивозбуждения (< 15 мВт/см2) итемпературы (< 10-15 К) широкиеполосы дислокационнойлюминесценциитрансформировались в наборыспектрально узких пиков, которыемогут быть интерпретированы какизолированные (квантовые)излучатели, сформированныефрагментами ядер дислокаций, смрис. 1B. Характернымиособенностями таких излучателейявляются малая спектральнаяширина линии, высокая степеньлинейной поляризации и слабаясвязь с решеткой CdTe черезфрелиховский механизм электронфононного взаимодействия.Перечисленные особенности излучателей, связанных с протяженными дефектами, позволяютвыделять их на фоне остальных механизмов примесно-дефектной люминесценции. Статистическийанализ пространственного распределения сигнала МФЛ и поляризации излучателей позволил установить принципиальные отличия протяженных дефектов в пленках CdTeвыращенных на Si и GaAs подложках. Показано, что в пленках CdTe/Si дислокационные ядрапривязаны к одному выделенному направлению, совпадающему с проекцией одного из направленийсемейства на плоскость поверхности [103]. Это направление совпадает с направлениемраспространения частичных 90° дислокаций Шокли, таким образом, подтверждая связь главнойлинии дислокационного излучения с частичными дислокациями. В CdTe/GaAs, в отличие от CdTe/Si,отсутствует выделенное направление в пространственной ориентации дислокаций. Так как наличиевыделенного направления неизбежно связано с существованием макроскопических деформационныхи/или электрических полей, полученные данные могут объяснять ухудшение свойств КРТ слоя приего росте на CdTe/Si подложке.