Open AccessЭлектрофизические параметры и дефекты структуры Ge, полученного низкоградиентным методом Чохральского / Фрицлер К.Б., Труханов Е.М., Касимкин П.В., Шлегель В.Н., Васильев Я.В.
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Uncategorized
DOI - 10.34077/semicond2019-339
Subject(s) - materials science , optoelectronics
Accelerating Research
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom
Address
John Eccles HouseRobert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom