Open AccessОсобенности роста эпитаксиальных упругонапряженных гетероструктур AlGaInAs/InP для полупроводниковых лазеров / Светогоров В.Н., Акчурин Р.Х., Рябоштан Ю.Л., Яроцкая И.В., Ладугин М.А., Мармалюк А.А.
Author(s) -
I. Ivanov
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Uncategorized
DOI - 10.34077/semicond2019-337
Subject(s) - materials science , optoelectronics , indium phosphide , gallium arsenide
Accelerating Research
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom
Address
John Eccles HouseRobert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom