Об особенностях рекомбинации в предварительно засвеченных при повышенной температуре высокоомных пленках a-Si:H / Курова И.А., Ормонт Н.Н.

Исследовались изменения фотоэлектрических свойств нелегированных высокоомных пленок aSi:H под влиянием освещения разной интенсивности при температурах выше комнатных (T>400K).Повышенные температуры позволяли измерять медленные при комнатных температурах измененияэтих свойств. Исследовались пленки в a-Si:H, выращенные методом плазмохимического осаждения,как после их отжига, так и после их изохронной предварительной засветки белым светом с разнойинтенсивностью Q. В результате проведенных измерений температурных зависимостей темновойпроводимости ( d ) и фотопроводимости ( ph ), а также зависимости фотопроводимости отинтенсивности освещения пленок W было установлено:1. Величина d исследованных пленок увеличивается с увеличением интенсивностипредварительно засветки Q а E термическая энергия активации T)( d уменьшается.2. Зависимость ph исследованных пленок от интенсивности их освещения W изменяется сувеличением интенсивности их предварительной засветки Q. А именно, величина параметра)(log)(logWdd ph , характеризующая эту зависимость, уменьшается с ростом Q от 0.94 до 0.67.Обнаруженные изменения d и E указывают на увеличение энергии Ферми с увеличениеминтенсивности предварительной засветки Q. Так, при Т=425К ( C FE 0 ) в исследованных пленкахизменялось от 0.68 эВ до 0.63 эВ. Уменьшение указывает на более сильное уменьшение временижизни электронов с увеличением интенсивности предварительной засветки пленок QПодобные изменения d , E ph и наблюдались в предварительно засвеченных приповышенных температурах легированных фосфором пленках a-Si:H и объяснялись увеличениемэнергии Ферми вследствие роста степени легирования при засветке пленок. Это, в свою очередь,обуславливало образование дополнительного канала рекомбинации – бимолекулярной рекомбинациина электронных состояниях хвоста зоны проводимости [1].Эту же модель можно применить и для объяснения результатов данной работы. Однакоостается открытым вопрос о природе увеличения энергии Ферми в засвеченных нелегиро ванныхпленках. Ранее нами было предположено, что это смещение уровня Ферми может быть обусловленообразованием донорных дефектов типа центровой связи водорода, образующих электронный уровеньв верхней половине запрещенной зоны a-Si:H [2,3]. В данной работе указывается также навозможность объяснения обнаруженных аномальных фотоиндуцированных при повышенныхтемпературах изменений фотоэлектрических свойств пленок a-Si:H наличием неконтролируемойпримеси кислорода.