Исследование процессов отжига слаболегированных слоев n-4Н-SiC после облучения быстрыми электронами / Корольков O.М., Козловский В.В., Лебедев A.А., Слепчук Н., Toompuu J., Стрельчук А.М.

Инженерия радиационных дефектов Radiation Defect Engineering (RDE) находит все болееширокое применение в приборной технологии, в частности для компенсации примеснойпроводимости и создания высокоомных областей в полупроводниковых структурах [1]. Ранее намибыла показана возможность создания в n-SiC с концентрацией доноров (4-6) 1015 см-3 высокоомныхслоев с помощью облучения высокоэнергетическими электронами [2, 3]. За компенсацию донорнойпроводимости ответственны ловушки Z1/Z2 и EH6/7, закрепляющие положение равновесного уровняФерми на глубине ~1.25 eV ниже дна зоны проводимости SiC. [2, 4]. Термическая стабильностьрадиационных дефектов в полупроводниках является важнейшим и часто лимитирующим фактором вRDE [1]. Особенно для полупроводников, например SiC, приборы на основе которых потенциальноспособны работать при высоких (до 175°С) температурах. Для n-SiC долгое время эта тема считаласьнедостаточно актуальной, т.к. основные радиационные дефекты Z1/Z2 и EH6/7 отжигаются притемпературах ~ 1000 °С [5-7]. Однако, в последнее время стали появляться сообщения,свидетельствующие о некой низкотемпературной нестабильности радиационных дефектов. Цельюнастоящей работы было представить панорамную картину влияния температуры и времени отжигана параметры карбид-кремниевых диодов Шоттки, облученных быстрыми электронами.Проведенные исследования показали, что устранения нестабильных радиационных дефектов,внесенных в n-4Н-SiC облучением быстрыми электронами необходим отжиг 500°С, 30 минут. Притаких температурах отжига нестабильные дефекты либо отжигаются, либо трансформируются встабильные Z1/Z2 и EH6/7 центры, успешно используемые в Инженерии радиационных дефектов(Radiation Defect Engineering). Оперируя энергией, дозами облучения и температурой отжига можномодулировать выходные параметры прибора либо создавать многослойные конструкции сизоляционными и полу изоляционными слоями. Следовательно, исследования проводимые в областиоблучения и стабилизирующего отжига позволяют разработать дополнительный инструмент,который можно использовать в технологии изготовления полупроводниковых структур.