z-logo
open-access-imgOpen Access
Двухфононная релаксация состояний акцепторов бора в алмазе / Бекин Н.А.
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/semicond2019-318
Subject(s) - chemistry , physics
Теоретически исследуется релаксация дырок, находящихся в возбужденных состоянияхакцепторов бора в алмазе, при испускании двух оптических фононов. Эта задача актуальна,поскольку энергия связи акцептора, 370 мэВ, более чем двукратно превышает максимальнуюэнергию оптического фонона 165 мэВ. Для описания волновой функции акцепторных состоянийиспользовался электроноподобный гамильтониан с изотропной эффективной массой. Волноваяфункция основного состояния находилась методом квантового дефекта. Для возбужденногосостояния типа 2p0 химический сдвиг игнорировался.Вероятность перехода вычислялась в адиабатическом приближении. В этом подходебезызлучательные переходы рассматриваются как переходы, происходящие между собственнымисостояниями уравнения Борна – Оппенгеймера. Эти уравнения описывают стационарные состоянияэлектрон-фононной системы, в которой взаимодействие между кристаллической решёткой иэлектроном, локализованным на примеси, является адиабатическим. Неадиабатическая частьвзаимодействия решётки и электрона рассматривается как возмущение, которое вызывает переходымежду этими состояниями, сопровождающиеся испусканием или поглощением одного илинескольких фононов. При этом вероятности таких процессов, в том числе многофононных,рассчитываются в первом порядке теории возмущений, в которой роль возмущения играет операторнеадиабатичности. Для матричных элементов этого оператора использовалось выражение [1],полученное в некондоновском приближении.Значение деформационного потенциала, 9 D 104.1 эВ/см, получено в результате подгонки кэкспериментальным данным [2] по фактору Хуанга – Риса для уровней, соответствующих линиипоглощения 304 мэВ в акцепторах бора. Такая процедура подгонки соответствует введениюусредненной по зоне Бриллюэна константы электрон-фононной связи, которая учитывает сильнуюлокализацию вовлеченных в переход состояний. Для сравнения, транспортные измерения в алмазе pтипа и их обработка методом Монте-Карло [3] дают величину деформационного потенциала длявалентной зоны 9 101.2 эВ/см.Закон дисперсии фононов считался изотропным, а частота фононов квадратично зависящей отмодуля волнового вектора – с максимальным значением, достигаемым в центре зоны Бриллюэна (165 max мэВ), и минимальным – на границе зоны Бриллюэна ( 147 min мэВ для LO фононов,132 min мэВ для TO фононов). Выявлена большая чувствительность вероятности перехода кхарактеристике дисперсии фононов, max min , особенно для энергии перехода, ET, в интервалеmin min max 2 ET . С этим связана большая чувствительность темпа двухфононнойрелаксации, ν, для уровня с энергией связи 66 мэВ (энергия перехода 304 мэВ). Если в релаксациюдырок доминирует вклад LO фононов, то 9 103 с-1, если доминируют TO фононы, 11 106 с-1.Если вклад всех типов оптических фононов сопоставим между собой, темп двухфононнойрелаксации имеет порядок 1011 с-1.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here
Accelerating Research

Address

John Eccles House
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom