z-logo
open-access-imgOpen Access
Влияние релаксации спиновых корреляций на проводимость органических полупроводников с прыжковым транспортом / Шумилин А.В., Бельтюков Я.М.
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/semicond2019-312
Subject(s) - philosophy
В течении длительного времени большинство теоретических работ посвященных прыжковойпроводимости основывались на приближении среднего поля. В рамках этого приближения среднеепроизведение двух чисел заполнения i j nn заменяют на произведение средних nn ji . Таким образом,не учитываются корреляции чисел заполненияji i j nnnn . Несмотря на то, что такое приближениеочень удобно и позволило получить большое количествоправильных результатов, оно не является контролируемыми не может быть обосновано в реальных веществах.Недавно возникла серьезная причина вернуться кизучению корреляций в прыжковой проводимости ипостроить теорию, выходящую за рамки среднего поля. Вомногих органических полупроводниках было обнаруженосильное магнетосопротивлении (~10%) в слабых полях 10-100гс. Этот эффект получил название «органическоемагнетосопротивление» или «OMAR».Форма зависимостипроводимости от поля позволила связать это магнетосопротивление с влиянием поля на спиновуюрелаксацию. Тем не менее, при комнатной температуре магнитное поле 100гс не может приводить ксколь-нибудь заметной намагниченности, и было неясно, как связать скорость спиновой релаксации ипроводимость.В работе [1] было показано, что такая связь возникает в теории при выходе за пределыприближения среднего поля. Вне равновесия за счет электрического поля могут возникать спиновыекорреляции, влияющие на электрический ток. В органических полупроводниках основныммеханизмом релаксации спина (и спиновых корреляций) является сверхтонкое взаимодействие сядерными спинами. Внешнее магнитное поле 10-100гс может сильно замедлить подобную спиновуюрелаксацию и таким образом повлиять на проводимость даже при комнатных температурах. В работе[1] было показано, что выход за рамки среднего поля даже при очень грубых приближенияхпозволяет описать этот эффект.Тем не менее, законченная картина OMAR-а может быть основана только на последовательнойтеории неравновесных корреляций в прыжковой проводимости. В рамках нашей работы мы строимтакую теорию. Основываясь на цепочке уравнений Боголюбова, мы выводим систему кинетическихуравнений, связывающих средние числа заполнения и корреляции различных порядков, какзарядовые, так и спиновые. Во многих случаях наша система уравнений может быть сведена кэквивалентной электрической схеме, обобщающей сетку сопротивлений Миллера-Абрахамса. Эту схему мы изучаем с помощью численного решения уравнений Кирхгофа. С помощьюнашего подхода мы строим теорию органического магнетосопоротивления, а также изучаем влияниезарядовых корреляций на проводимость и распределение токов в веществах с прыжковойпроводимостью в режиме закона Мотта.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here
Accelerating Research

Address

John Eccles House
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom