z-logo
open-access-imgOpen Access
Рассеяние на латеральных границах в подвешенных микроструктурах с двумерным электронным газом / Шевырин А.А., Погосов А.Г., Бакаров А.К., Шкляев А.А.
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/semicond2019-251
Subject(s) - political science
Незеркальное рассеяние на шероховатостях латеральных границ [1] становится существеннымв наноструктурах, сформированных путем глубокого плазмохимического травления, таких какэлектронные биллиарды, решетки антиточек и квантовые точечные контакты, осложняя наблюдениеявлений баллистического электронного транспорта. Настоящая работа посвящена исследованиютаких эффектов в подвешенных микроструктурах с двумерным электронным газом, формированиекоторых требует глубокого травления до жертвенного слоя. Для выявления особенностей электронного транспорта в узких подвешенных мембранахпроведено экспериментальное измерение и сравнение магнетотранспортных характеристикподвешенных и неподвешенных холловских мостиков различной длины (30-110 мкм) и ширины (3-50мкм). Толщина подвешенных мостиков составляла 166 нм. Измерения проводились в поперечныхмагнитных полях величиной до 0,6 Т при температурах 1,6-4,2 К. Обнаружено, что продольноемагнетосопротивление узких (3 мкм) неподвешенных холловских мостиков демонстрирует пики вмагнитных полях, соответствующих циклотронному радиусу порядка ширины мостиков. Появлениетаких пиков может объясняться влиянием рассеяния на шероховатостях латеральной границы,формируемой с помощью реактивно-ионного травления. Магнетосопротивление широких (50 мкм)холловских мостиков подобных пиков не демонстрирует. Обнаружено, что подвешивание узкиххолловских мостиков может уменьшать влияние рассеяния на шероховатой границе, что приводит кподавлению соизмеримых пиков, объяснимому увеличением ширины областей краевого обеднения.Альтернативное объяснение исчезновения соизмеримых пиков при подвешивании можетбазироваться на том факте, что подвижность носителей заряда уменьшается с 350000 до 220000см2В-1с-1; при этом длина свободного пробега уменьшается с 4,1 до 2,2 мкм и становится меньшейширины мостика, что может делать соизмеримые пики, имеющие баллистическую природу,ненаблюдаемыми.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here