Экспериментальное исследование магнитоплазменных возбуждений в непрямозонных AlAs/AlGaAs квантовых ямах посредством оптической методики детектирования / Хисамеева А.Р., Муравьев В.М., Губарев С.И., Кукушкин И.В.

В последние годы все больший интерес привлекают к себе исследования плазменныхрезонансов в двумерных электронных системах (ДЭС) вследствие возможного примененияполученных результатов в прикладных областях [1]. Благодаря возможности контролируемогозаполнения долин и сильной анизотропии эффективных масс электронов гетероструктуры на основеквантовых ям AlAs являются уникальным объектом для изучения новых плазмонных явлений.Методом оптического детектирования микроволнового резонансного поглощения (ОДМП)были проведены измерения на образцевыполненного в виде одиночного диска [2].Впервые данная методика была применена длянепрямозонного по полупроводника. Вследствиетого, что в ДЭС на основе AlAs отсутствуетлюминесценция, обусловленнаярекомбинационным излучением двумерныхэлектронов с фотовозбужденными носителями, тов эксперименте исследовалась в качестве пробнойлиния примесного центра в барьере AlGaAs cэнергией 1.93 эВ. Интенсивность данной линиибыла восприимчива к температурным изменениямДЭС, возникающим из-за поглощения СВЧизлучения в условиях магнитоплазменногорезонанса. Также в эксперименте былообнаружено сильное расхождение с теорией дляциклотронной магнитоплазменной моды.Возможное объяснение данного явления можетбыть связано с более сильным проявлениемэффектов запаздывания в ДЭС с анизотропнымэнергетическим спектром.Данный результат открывает широкуюперспективу использования данного метода дляисследования других непрямозонныхполупроводников. Основным преимуществомметода является отсутствие контактов илизатворов, вносящих возмущения вэлектромагнитное поле плазменной волны [3].