Open Access2D экситоны в одиночных монослоях GaN в AlN / Торопов А.А., Европейцев Е.А., Нестоклон М.О., Смирнов Д.С., Кайбышев В.Х., Будкин Г.В., Жмерик В.Н., Нечаев Д.В., Рувимов С., Шубина Т.В., Иванов С.В., Жиль Б.
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Uncategorized
DOI - 10.34077/semicond2019-201
Subject(s) - materials science , optoelectronics , gallium nitride , wide bandgap semiconductor , nanotechnology , layer (electronics)
Accelerating Research
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom
Address
John Eccles HouseRobert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom