Квантовый магнетотранспорт HEMT/InP гетероструктур с наноразмерной вставкой InAs в КЯ InGaAs/InAlAs / Виниченко А.Н., Васильевский И.С., Сафонов Д.А., Павленко И.А., Каргин Н.И.
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Uncategorized
DOI - 10.34077/semicond2019-157
Subject(s) - high electron mobility transistor , gallium arsenide , materials science , optoelectronics , physics , transistor , quantum mechanics , voltage
Accelerating Research
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom
Address
John Eccles HouseRobert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom