z-logo
open-access-imgOpen Access
Квантовый магнетотранспорт HEMT/InP гетероструктур с наноразмерной вставкой InAs в КЯ InGaAs/InAlAs / Виниченко А.Н., Васильевский И.С., Сафонов Д.А., Павленко И.А., Каргин Н.И.
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Uncategorized
DOI - 10.34077/semicond2019-157
Subject(s) - high electron mobility transistor , gallium arsenide , materials science , optoelectronics , physics , transistor , quantum mechanics , voltage

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here
Accelerating Research

Address

John Eccles House
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom