Акустические фононы в сверхрешётках SiGeSn / Аникин К.В., Тимофеев В.А., Solonenko D., Никифоров А.И., Милёхин А.Г., Zahn D.R.T.

В настоящей работе спектроскопия комбинационного рассеяния света (КРС) была примененадля изучения фононного спектра периодической наноструктур GeSiSn/ Si с концентрацией Sn,изменяющейся в диапазоне от 0 до 20%. Традиционно частоты мод оптических фононовиспользуются для определения концентрации твердых растворов. Однако, слабое изменение частотоптических фононных мод с содержанием Sn в SiGeSn препятствует определению содержания Sn,основываясь только на поведении оптических фононов. В акустической области мы наблюдаемдублеты свернутых акустических фононов, спектральные положения которых претерпеваютнизкочастотный сдвиг с увеличением содержания Sn. Применение модели упругого континуума вприближении линейной зависимости скорости звука от содержания Sn в слоях GeSiSn противоречитэкспериментальным результатам. Это указывает на нелинейную концентрационную зависимостьскорости звука в слоях GeSiSn от Sn, данные о которой отсутствуют в литературе. Используя модельупругого континуума нами были определены скорости звука GeSiSn / Si с концентрацией Sn вдиапазоне от 0 до 20%, величины которых хорошо описывают наблюдаемое положение частотсвернутых акустических фононов.