z-logo
open-access-imgOpen Access
Изменение температуры гетероструктуры Hg1-xCdxTe/CdTe/Si на начальной стадии эпитаксиального роста / Марин Д.В., Швец В.А., Азаров И.А., Якушев М.В., Рыхлицкий С.В.
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Uncategorized
DOI - 10.34077/semicond2019-140
Subject(s) - cadmium telluride photovoltaics , materials science , optoelectronics

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here