Гетероструктуры для мощных ИК диодов с РБО на 850 и 920 нм методом МЛЭ / Солдатов Н.А., Дмитриев Д.В., Журавлев К.С | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Open Access

Гетероструктуры для мощных ИК диодов с РБО на 850 и 920 нм методом МЛЭ / Солдатов Н.А., Дмитриев Д.В., Журавлев К.С

Publication year - 2019

Publication title -

тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»

Language(s) - Uncategorized

DOI - 10.34077/semicond2019-131

Subject(s) - physics , mathematics

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research

Address

John Eccles House
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom

About

About Careers Publisher Partners Contact Us Get Organisational Trial or Quote

Learn

FAQs Blog Terms of Use Privacy Policy

Download the Zendy App

Download on the

Discover

Explore

Copyright Knowledge E © 2026. All Rights Reserved.