Open AccessМаска на основе эпитаксиальных слоев Si/GaAs(111)B для самокаталитического роста нановискеров АIIIВV / Настовьяк А.Г., Емельянов Е.А., Петрушков М.О., Есин М.Ю., Гаврилова Т.А., Путято М.А., Шварц Н.Л., Швец В.А., Васев А.В., Семягин Б.Р., Преображенский В.В.
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Uncategorized
DOI - 10.34077/semicond2019-118
Subject(s) - materials science , gallium arsenide , semiconductor materials , optoelectronics , semiconductor
Accelerating Research
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom
Address
John Eccles HouseRobert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom