z-logo
open-access-imgOpen Access
Роль подложки и дефектов на транспортные свойства пленок висмутового феррита граната / Масюгин А.Н., Бегишева О.Б., Аплеснин С.С
Publication year - 2019
Publication title -
тезисы докладов xiv российской конференции по физике полупроводников «полупроводники-2019»
Language(s) - Russian
DOI - 10.34077/semicond2019-117
Subject(s) - physics , philosophy
Висмут ферритовые гранаты обладают колоссальным Фарадеевским вращением в видимойобласти спектра и используются в магнитооптических устройствах для пространственной модуляциисвета, в оптических сенсорах. В пленках обнаружен линейный магнитоэлектрический эффект,который объясняется наличием доменных границ и интерфейсом пленка-подложка. В этих системахважно рассмотреть влияние примесей и интерфейса пленка-подложка на магнитоэлектрическоевзаимодействие и сосуществование каналов тока с ферроэлектрическими областями, что позволитсоздавать мемристорные устройства управляемые светом.Исследовались эпитаксиальные пленки Nd1Bi2Fe5O12(450nm)/Nd2Bi1Fe4Ga1O12(90nm) настеклянной подложке и Nd0.5Bi2.5Fe5O12(450nm) на монокристаллической подложке GGG,выращенной в кристаллографическом направлении (111). Ниже 400 К обнаружено влияние подложки на резистивные характеристики пленки. Вокрестности температуры Кюри Тс=450 К энергия активации уменьшается от ∆E=0.48 эВ до 0.33 эВпри нагревании, что указывает на взаимодействие носителей тока с магнитной подсистемой. Найденгистерезис в ВАХ с конечным значением тока порядка 1 нА при нулевом внешнем электрическомполе, связанный с пиротоком в результате изменения электрической поляризации. Импеданс,измеренный в интервале частот 1-300 кГц, уменьшается выше температуры Нееля вследствие ростадиэлектрической проницаемости, обусловленной электронами проводимости. В интервалетемператур 180-210 К реактивная часть импеданса резко уменьшается, что связываем спиннингованием доменных границ на заряженных примесях.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here